- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录394 > AON7460 (Alpha & Omega Semiconductor Inc)MOS N CH 300V 4A DFN3X3A_EP
AON7460
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Vgs
Qg
+
10V
VD C
-
DUT
+
VDC
-
Vds
Qgs
Qgd
Vgs
Ig
Charge
Res istive Switching Test Circuit & Waveforms
RL
Vds
Vds
Rg
Vgs
DUT
+
VD C
-
Vdd
90%
10%
Vgs
Vgs
t d(o n)
t r
t d(o ff)
t f
t on
t off
Unclamped Inductive Switching (UIS) Test Circuit & Waveforms
Vds
L
E AR = 1/2 LI
2
AR
BV DSS
Id
Vds
Rg
Vgs
Vgs
+
VDC
-
Vdd
Id
I AR
DUT
Vgs
Vds +
DUT
Vgs
Diode Recovery Tes t Circuit & Waveforms
Q rr = - Idt
Vgs
Vds -
Ig
Vgs
Isd
L
VDC + Vdd
-
Isd
Vds
I F
dI/dt
I RM
t rr
Vdd
Rev 0: Mar 2011
www.aosmd.com
Page 6 of 6
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
AOT1606L
MOSFET N-CH 60V 178A TO220
AOT4N60
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
AOW480
MOSFET N-CH 80V 15A TO262
AP1608SF4C
LED IR SMD 120 DEGREE 0.4LM
AP2012SF4C
LED IR CLEAR GAALAS SMT
APA3010F3C-GX
INFRARED EMITTING DIODE 940NM
APA3010F3C
EMITTER IR 3.0X1.0MM RA SMD
APA3010P3BT-GX
LED RA IR 940NM TRANS 3X1MM SMD
相关代理商/技术参数
AON7462
功能描述:MOS N CH 300V2.5A DFN3X3A_EP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AON7466
功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta），30A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1150pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3） 标准包装:5,000
AON7474A
功能描述:MOSFET N-CH 75V 4A/7.5A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta），7.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:130 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:280pF @ 37.5V 功率 - 最大值:4.1W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3） 标准包装:5,000
AON7502
制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:N 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN
AON7506
制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 12A T/R 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A DFN3X3EP
AON7508
制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin DFN EP T/R 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN
AON7510
制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:AON7510
AON7514
功能描述:MOSFET N CH 30V 30A DFN 3x3 EP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件